半導体装置の配線構造、配線形成方法、銀薄膜形成方法、CVD装置並びにケミカルメカニカルポリッシュ法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-289807
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122642
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】配線を形成するためのパターニング工程を行う必要がなく、しかも、Al系合金やCuを配線材料として用いた場合の問題点を解決できる、新規の半導体装置の配線構造及び配線形成方法を提供する。【構成】半導体装置の配線構造は、(イ)基体10上の絶縁層12に形成された溝部14又は開口部と、(ロ)溝部14又は開口部内に形成された、下から密着16層及びAg層20から成る多層22の金属配線層、から構成されている。半導体装置の配線形成方法は、(イ)基体10上に絶縁層12を形成した後、絶縁層12に溝部14又は開口部を形成し、(ロ)溝部14又は開口部内を含む絶縁層上に、下から密着層16及びAg層20から成る多層の金属配線層22を形成し、(ハ)絶縁層12上の金属配線層22を除去し、溝部14又は開口部内に金属配線層22を残す工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)基体上の絶縁層に形成された溝部又は開口部と、(ロ)該溝部又は開口部内に形成された、下から密着層及びAg層から成る多層の金属配線層、から構成されていることを特徴とする半導体装置の配線構造。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/285 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭63-100749
特開平4-199624
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-260123 出願人：ソニー株式会社

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