特許

J-GLOBAL ID：200903019066719055

炭化珪素基板の製造方法

発明者： 秋山 昌次
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-287523
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117533
出願日： 2007年11月05日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：

【課題】従来に比べてコストを低減させた高品質デバイス作製に耐え得る単結晶炭化珪素基板の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素基板の製造方法であって、少なくとも、マイクロパイプの密度が30個/cm2以下の単結晶炭化珪素基板と多結晶炭化珪素基板を準備し、前記単結晶炭化珪素基板と前記多結晶炭化珪素基板とを貼り合わせる工程を行い、その後、前記単結晶炭化珪素基板を薄膜化する工程を行い、多結晶基板上に単結晶層を形成した基板を製造することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板の製造方法であって、 少なくとも、マイクロパイプの密度が30個/cm2以下の単結晶炭化珪素基板と多結晶炭化珪素基板を準備し、前記単結晶炭化珪素基板と前記多結晶炭化珪素基板とを貼り合わせる工程を行い、その後、前記単結晶炭化珪素基板を薄膜化する工程を行い、多結晶基板上に単結晶層を形成した基板を製造することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/304 611W