特許

J-GLOBAL ID：200903019068601965

非対称型トランジスタおよびその製造方法

発明者： アミタバ チャッタージー ,  ピン ヤン ,  マーク ロッダー ,  イ - チン チェン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-246645
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116151
出願日： 1996年09月18日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 短チャンネル効果を低減化されたトランジスタとその製造方法。【解決手段】 トランジスタ(10)は基板(12)中に設けられた第1の伝導形のソース領域(20)とドレイン領域(22)とを含んでいる。トランジスタ(10)はまた、ソース領域(20)とドレイン領域(22)との間の基板(12)中に設けられた第2の伝導形の非対称なチャンネル領域(24)を含んでいる。非対称なチャンネル領域(24)は、ソース領域(20)に隣接する場所での第2の伝導形のドーパント濃度がドレイン領域(22)に隣接する場所のそれよりも低くなったドーパント濃度を有している。

請求項（抜粋）：

トランジスタを作製する方法であって、次の工程、第1の伝導形を有する基板上へゲート電極を形成すること、前記基板中の前記ゲート電極の両側に、前記第1の伝導形とは逆の第2の伝導形を有するソース領域およびドレイン領域を形成すること、および前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に、前記ソース領域に隣接する場所での前記第1の伝導形のドーパント濃度が前記ドレイン領域に隣接する場所でのそれよりも低くなるように非対称なチャンネル領域を形成すること、を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 P