特許

J-GLOBAL ID：200903019069877310

半導体装置とその製造方法

発明者： 村山 啓
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 松田 宗久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-289145
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124258
出願日： 1998年10月12日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 サブ配線基板を排除して、その小型化とその製造の容易化とを図った半導体装置を得る。【解決手段】 半導体チップ10の能動面を覆う絶縁層100の表面に、半導体チップ10の電極に接続された再配線回路120を形成する。そして、その再配線回路120の一部に形成された導体パッド122にインナーバンプ140を突出形成する。再配線回路120及び該再配線回路の周囲の絶縁層100の表面には、絶縁フィルム160を連続して被着して、その絶縁フィルム160に設けられた透孔180にインナーバンプ140を嵌挿する。絶縁フィルム160の透孔180が設けられた部分には、アウターバンプ200を、その上部を絶縁フィルム160の外側に突出させて、インナーバンプ140に連ねて形成する。

請求項（抜粋）：

半導体チップの能動面を覆う絶縁層の表面に、その半導体チップの能動面の電極に電気的に接続された再配線回路が形成され、その再配線回路の一部に形成された導体パッドにインナーバンプが突出形成され、前記再配線回路及び該再配線回路の周囲の絶縁層の表面に絶縁フィルムが連続して被着されて、その絶縁フィルムに設けられた透孔に前記インナーバンプが嵌挿され、さらに、前記絶縁フィルムの透孔が設けられた部分にアウターバンプがその上部を絶縁フィルムの外側に突出させて前記インナーバンプに連ねて形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/18

FI (4件)：

H01L 21/60 311 S ,  H05K 1/18 L ,  H01L 21/92 602 D ,  H01L 23/12 L

Fターム (17件)：

5E336AA04 ,  5E336BB01 ,  5E336BB02 ,  5E336BC31 ,  5E336BC34 ,  5E336CC34 ,  5E336CC37 ,  5E336CC43 ,  5E336CC58 ,  5E336EE03 ,  5E336GG11 ,  5E336GG30 ,  5F044KK02 ,  5F044KK17 ,  5F044KK18 ,  5F044KK19 ,  5F044LL04

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-226250   出願人：新光電気工業株式会社
• 特開昭57-092850
  
• 特開昭63-240049
  

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-226250   出願人：新光電気工業株式会社
• 特開昭57-092850
  
• 特開昭63-240049