特許
J-GLOBAL ID：200903019070763425
薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-343442
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175502
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【構成】 SiOH官能基およびSiH官能基を含有しない酸化シリコン膜によるゲート絶縁膜を使用した600°C以下のプロセスによる薄膜トランジスタの製造方法。【効果】 高温多湿の環境下でも信頼性が極めて高い薄膜トランジスタを製造することができるので、利用範囲が大変広いアクティブマトリクス基板を製造できる。
請求項（抜粋）：
ゲート酸化膜がシリコン原子と水素原子の結合したSiH、SiH2およびSiH3の官能基と、シリコン原子と水酸基が結合したSiOHの官能基を含まない酸化シリコン膜で構成されている薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
引用特許：
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