特許

J-GLOBAL ID：200903019071115834

半導体装置の製造方法

発明者： 水津 康正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247417
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092957
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 同一基板上に厚さの異なるゲート絶縁膜を有する少なくとも2種類以上のMOS型素子を含む半導体装置の形成にあたって、ゲート絶縁膜の形成を有機物等による汚染の影響を受けることなく行い、素子間バラツキ等のない優れた特性の半導体装置を製造すること。【解決手段】 半導体基板1の少なくとも2つ以上の領域に、酸素原子をイオン注入法によって互いに異なる条件で選択的に導入して、それぞれの領域に酸素導入層1a、1bを形成する工程と、酸素導入層1a、1bを酸化膜3a、3bに変換する工程と、酸素導入層1a、1bから変換した酸化膜3a、3bをゲート絶縁膜として、ゲート絶縁膜の膜厚が異なる少なくとも2種類以上のMOS型電界効果トランジスタを形成する工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の少なくとも2つ以上の領域に、酸素原子をイオン注入法によって互いに異なる条件で選択的に導入して、それぞれの領域に酸素導入層を形成する工程と、前記酸素導入層を酸化膜に変換する工程と、前記酸素導入層から変換した前記酸化膜をゲート絶縁膜として、ゲート絶縁膜の膜厚が異なる少なくとも2種類以上のMOS型電界効果トランジスタを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 G