特許
J-GLOBAL ID：200903019076154145
銅-インジウム-硫黄-セレン薄膜の作製方法、及び銅-インジウム-硫黄-セレン系カルコパイライト結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-190581
公開番号（公開出願番号）：特開平9-031683
出願日： 1995年07月26日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：
【要約】【課題】 欠点の多い真空技術によらない、銅-インジウム-硫黄-セレン薄膜の各成分量を制御して製造する方法を提供する。【解決手段】 銅-インジウム-硫黄-セレン薄膜の作製方法は、請求項1に記載のように硫酸銅、硫酸インジウム、二酸化セレン及びチオ尿素の存在下で導電性基板を電着処理する。
請求項（抜粋）：
硫酸銅、硫酸インジウム、二酸化セレン及びチオ尿素の存在下で、導電性基板に電着処理することを特徴とする銅-インジウム-硫黄-セレン薄膜の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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