特許

J-GLOBAL ID：200903019076290863

4族系半導体装置、4族系半導体光装置、および4族系半導体高発光部材

発明者： 宮尾 正信 ,  中川 清和 ,  木村 嘉伸 ,  杉井 信之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-243979
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087763
出願日： 1997年09月09日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、シリコン系4族半導体で光集積回路装置を可能とする。【解決手段】シリコンとシリコンを除く4族元素、例えばゲルマニウムとの混晶層を活性領域として用い且つ当該混晶領域にその組成を異にする領域を有してなる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に、シリコンとシリコンを除く4族元素との混晶層を活性領域として少なくとも有する半導体光素子部を少なくとも有し、前記シリコンとシリコンを除く4族元素との混晶層はその混晶比を異にする領域を有することを特徴とする半導体光装置。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H05B 33/14

FI (3件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/203 M ,  H05B 33/14