特許

J-GLOBAL ID：200903019077153363

半導体装置の製造方法

発明者： 神谷 雅之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 岡▲崎▼ 信太郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-113597
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307431
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の配線パターンの配線幅を目標とする寸法となるように露光するのに最適な補正量を事前に算出することなく、焦点位置及び感度のそれぞれの変動を分離検出して露光条件を補正することで目標とする配線幅の配線パターンを露光することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板WHへの露光量の変動が配線幅Wに影響を与え、半導体基板WHに露光する際の焦点位置の変動が配線幅Wに影響を与えないように配置されている配線パターンを有する第1露光管理パターン18と、露光量及び焦点位置のそれぞれの変動が配線幅に影響を与えるように配置されている配線パターンを有する第2露光管理パターン16とを半導体基板WHに露光して、露光された配線パターンの配線幅を計測して焦点位置及び露光量の変動量を検出する。

請求項（抜粋）：

予め決められた回路を構成する配線パターンを半導体基板に形成するために露光条件を補正して露光することで半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、一定の間隔となるように配置され、半導体基板への露光量の変動が配線幅に影響を与え、半導体基板に露光する際の焦点位置の変動が配線幅に影響を与えないように配置されている配線パターンを有する第1露光管理パターンと、第1露光管理パターンの配線パターンとは異なる間隔で配置され、露光量及び焦点位置のそれぞれの変動が配線幅に影響を与えるように配置されている配線パターンを有する第2露光管理パターンとを半導体基板に露光する第1ステップと、第1管理露光パターン及び第2管理露光パターンによって基板上に露光された第1配線パターン及び第2配線パターンそれぞれの配線パターンの配線幅を測定する第2ステップと、第1配線パターン及び第2配線パターンのそれぞれの配線パターンの配線幅の差に基づいて焦点位置の変動量を検出する第3ステップと、第1配線パターン及び第2配線パターンの少なくとも1つの配線パターンの配線幅と、本来露光されるべき予め設定された配線幅との差に基づいて露光量の変動量を検出する第4ステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/30 502 G ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 516 D ,  H01L 21/88 B