半導体微粒子集合体及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-328536
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150940
出願日： 1998年11月18日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】結晶性が良好で粒子サイズバラツキの少ない半導体微粒子集合体を製造する。【解決手段】単結晶の半導体基板1を用意し、半導体基板1に不純物をイオン注入する共に、不純物を拡散させてp型拡散層3及びn型拡散層4を形成する。これによりP-N接合が形成される。そして、半導体基板1に水素のイオン注入を施し、P-N接合界面より深い位置に注入欠陥層5を形成する。さらに、半導体基板1を支持基板6に貼り合わせたのち、熱処理により、注入欠陥層5のところで半導体基板を支持基板から部分的に剥離させる。これにより、支持基板に半導体基板の残部で構成された半導体微粒子が付着する。この半導体微粒子のサイズは、水素のイオン注入深さに依存するため、粒子サイズが均一にできる。

請求項（抜粋）：

支持基板(6)の少なくとも一面側に、半導体微粒子(10)が配置されてなる半導体微粒子集合体の製造方法において、半導体基板(1)を用意する工程と、前記半導体基板にイオン注入を施すことにより、該半導体基板の所定深さに欠陥領域(5)を形成する工程と、前記半導体基板と前記支持基板とを貼り合わせる工程と、熱処理を行い、前記欠陥領域のところで前記半導体基板を前記支持基板から部分的に剥離させると共に、前記支持基板上に、前記半導体基板の残部で構成された半導体微粒子を付着させる工程と、を含むことを特徴とする半導体微粒子集合体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , B01J 19/08 , H01L 21/02

FI (4件)：

H01L 31/04 A , B01J 19/08 K , B01J 19/08 F , H01L 21/02 B

Fターム (14件)：

4G075AA22 , 4G075BC06 , 4G075BC08 , 4G075BD14 , 4G075CA02 , 4G075CA54 , 4G075DA01 , 5F051AA16 , 5F051CB19 , 5F051DA03 , 5F051DA05 , 5F051GA04 , 5F051GA06 , 5F051GA20

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