特許

J-GLOBAL ID：200903019080283774

太陽電池を製造する方法

発明者： 松村 道雄 ,  辻埜 和也
出願人/特許権者： 関西ティー・エル・オー株式会社
代理人 (1件)： 矢野 正行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-379339
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142457
出願日： 2003年11月10日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】有害ガスを副生したり電極を損傷させたりすることなく、反射防止膜を安価に形成することのできる、量産性に富んだ太陽電池製造方法を提供する。【解決手段】過酸化水素などの酸化剤に対する還元反応の触媒機能を有する金属、例えば銀、銅、ニッケル、白金、パラジウム及び金のうちから選ばれる1種以上からなる表電極が形成されたシリコン等の半導体結晶基板を、前記酸化剤と場合によりフッ化水素酸を含む水溶液中に浸すことにより、表電極の周辺に多孔質層からなる反射防止膜を形成することを特徴とする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

酸化剤に対する還元反応の触媒機能を有する金属からなる表電極が形成された半導体結晶基板を、前記酸化剤を含む水溶液中に浸すことにより、表電極の周辺に多孔質層からなる反射防止膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L31/04 ,  H01L21/308

FI (3件)：

H01L31/04 F ,  H01L21/308 D ,  H01L31/04 H

Fターム (15件)：

5F043AA10 ,  5F043BB03 ,  5F043DD10 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CB13 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051FA14 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03