特許

J-GLOBAL ID：200903019082157504

薄膜固体電解質素子用多孔質電極の製造方法

発明者： 向井 裕二 ,  高橋 康仁
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石井 和郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-356532
公開番号（公開出願番号）：特開2000-182628
出願日： 1998年12月15日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 薄膜固体電解質素子用の通気性の優れた多孔質電極を簡便に製造できる方法を提供する。【解決手段】 電極材料を下地に塗布し加熱する工程を含み、前記電極材料が、炭素または炭素化合物と、前記炭素または炭素化合物が酸化されてガス化する温度よりも低温で分解可能な金属化合物を含み、かつ前記加熱工程において、前記炭素または炭素化合物が酸化されてガス化する温度以上で加熱する。

請求項（抜粋）：

多孔質基板と、第一の金属電極と、固体電解質薄膜と、第二の金属電極とを順次積層することによって構成した薄膜固体電解質素子の金属電極の製造方法であって、電極材料を下地上に塗布し加熱する工程を含み、前記電極材料が、炭素または炭素化合物と、前記炭素または炭素化合物が酸化されてガス化する温度よりも低温で分解可能な金属化合物とを含み、かつ前記加熱工程において、前記炭素または炭素化合物が酸化されてガス化する温度以上で加熱することを特徴とする薄膜固体電解質素子用多孔質電極の製造方法。

IPC (8件)：

H01M 4/88 ,  G01N 27/02 ,  G01N 27/12 ,  H01M 4/92 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/12 ,  A23L 3/3436 ,  C01B 13/02

FI (10件)：

H01M 4/88 K ,  H01M 4/88 T ,  G01N 27/02 B ,  G01N 27/12 H ,  G01N 27/12 G ,  H01M 4/92 ,  H01M 8/02 E ,  H01M 8/12 ,  A23L 3/3436 ,  C01B 13/02 Z

Fターム (50件)：

2G046AA09 ,  2G046AA18 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046EA02 ,  2G046EA07 ,  2G046EA09 ,  2G046FB00 ,  2G046FE00 ,  2G046FE02 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G060AA01 ,  2G060AB02 ,  2G060AF06 ,  2G060AG15 ,  2G060BA01 ,  2G060BB09 ,  2G060JA02 ,  4B021LT04 ,  4B021MC04 ,  4B021MK08 ,  4B021MP10 ,  4G042AA04 ,  4G042AA05 ,  4G042BC06 ,  5H018AA06 ,  5H018AS03 ,  5H018BB01 ,  5H018BB08 ,  5H018BB12 ,  5H018BB17 ,  5H018EE03 ,  5H018EE06 ,  5H018EE08 ,  5H018HH01 ,  5H018HH08 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026BB01 ,  5H026BB04 ,  5H026BB08 ,  5H026BB10 ,  5H026EE02 ,  5H026EE05 ,  5H026EE06 ,  5H026HH01 ,  5H026HH08