特許

J-GLOBAL ID：200903019092141134

配線形成法

発明者： 桑島 哲哉
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-132610
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321201
出願日： 1994年05月23日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 W(タングステン)等の選択成長により凹部を埋め込む配線形成法において、深さや広さの異なる凹部を等しく平坦に埋め込み可能とする。【構成】 絶縁膜14に設けた接続孔14Aの底及び側壁にのみWの成長核となる成長下地膜(例えばバリアメタル膜)18aを形成した後Wの選択成長を行なうことによりW層22Aで接続孔14Aを埋める。接続孔14Aの底及び側壁の両方からWが成長するので、接続孔の深さや広さが異なる場合でも平坦な埋め込みが可能となる。接続孔14Aの外部には、成長下地膜18aが存在しないので、Wが成長しない。接続孔14Aの底の成長下地膜としては、下層配線の最上層としての金属膜を用いてもよい。

請求項（抜粋）：

導電材の選択成長により接続孔又は配線溝としての凹部を埋める工程を含む配線形成法であって、前記凹部の底及び側壁にのみ前記導電材の成長核となる導電性の成長下地膜を形成した状態で前記導電材の選択成長を行なうことを特徴とする配線形成法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 M