特許
J-GLOBAL ID：200903019098567400
多孔質シリコンの作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018027
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226101
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 PL強度が強くかつ安定している多孔質シリコンを作製する方法を提供する。【構成】 少なくとも弗酸を含む溶液中に結晶性シリコンを浸漬し、該結晶性シリコンが陽極となるように電流を流して陽極化成し、該結晶性シリコン表面に多孔質シリコン層を形成する多孔質シリコン作製方法において、該結晶性シリコン表面に波長700〜1200nmの赤外光を照射しつつ陽極化成を行う工程を含む。
請求項（抜粋）：
少なくとも弗酸を含む溶液中に結晶性シリコンを浸漬し、該結晶性シリコンが陽極となるように電流を流して陽極化成し、該結晶性シリコン表面に多孔質シリコン層を形成する多孔質シリコン作製方法において、該結晶性シリコン表面に波長700〜1200nmの赤外光を照射しつつ陽極化成を行う工程を含む多孔質シリコン作製方法。
IPC (2件)：
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