特許
J-GLOBAL ID：200903019104392081
エツチング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234213
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074754
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】エッチング処理中及び処理後に半導体素子性能を劣下させる自然酸化膜の形成を阻止する。【構成】薬液及び洗浄水の滴下方向とほぼ平行に窒素ガスの流れを起し、エッチング室2及び洗浄室6の窒素ガスを高め、開口より侵入する空気を阻止し、エッチング処理済みのウェーハを収納する保管箱10に窒素ガスを充満することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
ウェーハを載置し、薬液が滴下される前記ウェーハを回転させる第1のステージと、エッチング処理される前記ウェーハを載置し、洗浄液を滴下される前記ウェーハを回転させる第2のステージとを有するエッチング装置において、前記第1及び第2のステージを囲むエッチング室及び洗浄室のそれぞれに前記薬液及び洗浄液の滴下方向とほぼ同方向に窒素ガス導入口及びガス排出口を形成し、前記洗浄室に隣接して配置される着脱可能なウェーハ保管箱を備えることを特徴とするエッチング装置。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/304 351
