特許
J-GLOBAL ID：200903019104559342

スパッタリングカソード及びこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置

発明者：
大海 元祐

大海 元祐 について

, 
河嶋 利孝

河嶋 利孝 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-126693
公開番号（公開出願番号）：特開2000-319780
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
要約：
【要約】【課題】 成膜速度および膜厚均一性を同時に向上させながら、ターゲットの利用効率を改善することができるスパッタリングカソードおよびこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置を提供すること。【解決手段】 ターゲット5の表面に内周側および外周側の二重の環状のエロージョン(浸食)領域24、25を形成する磁石群23を配置したマグネットプレート19をターゲット5の背面に配置して成膜速度の向上を図るとともに、外周側エロージョン領域25のエロージョン量を1としたときに内周側エロージョン領域24のエロージョン量を0.3以上0.45以下の範囲内として膜4aの膜厚均一性を向上させる。
請求項（抜粋）：
ターゲットの表面に二重の環状の浸食領域を形成する磁石群を配置したマグネットプレートを、前記ターゲットの背面に備えたスパッタリングカソードであって、前記二重の環状の浸食領域のうち、外周側の浸食領域の浸食量を1としたときに、内周側の浸食領域の浸食量が、0.3以上0.45以下の範囲内にあることを特徴とするスパッタリングカソード。
IPC (2件)：
C23C 14/35 ,  H01L 21/203
FI (2件)：
C23C 14/35 B ,  H01L 21/203 S
Fターム (6件)：
4K029DC43 ,  4K029DC45 ,  4K029DC46 ,  5F103AA08 ,  5F103BB14 ,  5F103RR04
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 両面スパッタ成膜方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-018414   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開平3-294477
  • スパツタ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-277039   出願人：ソニー株式会社
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