特許

J-GLOBAL ID：200903019106679507

透明導電性積層体

発明者： 山▲崎▼ 文晴 ,  福田 伸 ,  小山 正人 ,  鈴木 彰
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-176356
公開番号（公開出願番号）：特開2000-006299
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 2000年01月11日
要約：

【要約】【課題】 加熱処理を施しても表面抵抗値変化の極めて小さい透明導電膜を作成する。【解決手段】 透明基体の一方の主面上に、主としてインジウムとスズと酸素とからなる透明導電膜を形成し、かつ、該透明導電膜中の炭素含有量をN0(atoms/cm3)、大気中において120°Cで6時間以上の熱処理後の炭素含有量をN1 (atoms/cm3)とした時、N1/N0が1.0以上となるように透明導電性積層体を形成する。

請求項（抜粋）：

透明基体の一方の主面上に、主としてインジウムとスズと酸素とからなる透明導電膜を形成した透明導電性積層体であり、該透明導電膜中の炭素含有量をN0 (atoms/cm3 )、大気中において120°Cで6時間以上の熱処理した後の炭素含有量をN1 (atoms/cm3 )とする時、N1 /N0 が1.0以上であることを特徴とする透明導電性積層体。

IPC (2件)：

B32B 9/00 ,  B32B 27/36

FI (2件)：

B32B 9/00 A ,  B32B 27/36

Fターム (18件)：

4F100AA36B ,  4F100AB21B ,  4F100AB40B ,  4F100AK42A ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100EH66 ,  4F100GB41 ,  4F100JA20A ,  4F100JA20B ,  4F100JG01B ,  4F100JG10 ,  4F100JJ03 ,  4F100JN01A ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B