特許

J-GLOBAL ID：200903019109158737

多層配線構造およびその製造方法

発明者： 山本 浩 ,  太田 与洋 ,  竹安 伸行 ,  近藤 英一
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028249
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254642
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 低いコンタクト抵抗および高いエマグレーション耐性が安定に得られ、微細化にも適した多層配線構造を提供する。【構成】 シリコン基板1の上に下地絶縁膜2を形成した後、Al合金膜13-2およびTiW 膜13-3を含む下層配線13を形成し、層間絶縁膜4にヴィア孔5を形成する。ヴァア孔5内にアルミニウムの選択CVD によってアルミニウムプラグ6を形成する。さらに、TiW 膜17-1、Al合金膜17-2およびTiW 膜17-3より成る上層配線17を形成する。アルミニウムプラグ6は、アルミニウムを実質的に含まず、アルミニウムとの反応性の低い導電耐膜と接続される。

請求項（抜粋）：

アルミニウムまたはアルミニウム合金を主体とする上層金属配線と、アルミニウムまたはアルミニウム合金を主体とする下層金属配線と、これら下層金属配線と上層金属配線との間に、これらを分離するように設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜中に、前記下層金属配線と上層金属配線とを連結するように形成されたヴィア孔と、このヴィア孔内に埋め込まれて前記下層金属配線と上層金属配線とを接続する、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるプラグとを具え、前記プラグと、前記下層金属配線および上層金属配線との接続の内の少なくとも一方が、実質的にアルミニウムを含まない導電体膜を介して成されていることを特徴とする多層配線構造。