特許

J-GLOBAL ID：200903019119188740

半導体発光素子

発明者： 辻村 歩 ,  長谷川 義晃 ,  石橋 明彦 ,  木戸口 勲 ,  大塚 信之 ,  鈴木 政勝 ,  伴 雄三郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-232399
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078216
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】 III族窒化物半導体におけるp型層の低抵抗化、c軸配向性分布の改善を行い、発光素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90%に低減する。また、サファイア基板面上にSiを含有するGaN層を隣接させると、Siが実質的に含有されていない場合に比べてGaN層のc軸配向性の分布は狭くなる。

請求項（抜粋）：

少なくともIII族元素およびNを含有するp型伝導層に、ドナー性不純物が1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205

Fターム (31件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F045DA62 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA89 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29