特許
J-GLOBAL ID：200903019120198589
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-309143
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279656
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【課題】光出射方向の傾きによる光ファイバーとの光結合効率の低下を生じさせないような構造の半導体発光装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体発光装置は、基準平面に対して平行な活性層面203を有し、該基準平面と垂直に、かつ活性層面より下側までエッチングして形成した光出射面208を持つ端面発光型半導体発光装置であって、光出射端面前方の基板上面209が光出射面208より前方に進むに従って活性層面より離れる方向に傾いており、光出射面208より前方の基板上面209と基準平面のなす角度Ψが垂直方向の光放射分布の半値半角θよりも大きい構成となっている。このように構成したことにより、光出射面から出射される光の大部分である光放射分布の半値角内の光の成分は、光出射面前方の基板上面で反射されないため、干渉の影響を低減でき、光ファイバーに対して出射光の傾きを小さくでき、光結合効率の低下を抑制できる。
請求項（抜粋）：
基準平面に対して平行な活性層面を有し、該基準平面と垂直に、かつ活性層面より下側までエッチングして形成した光出射面を持つ端面発光型半導体発光装置において、光出射面前方の基板上面が光出射面より前方に進むに従って活性層面より離れる方向に傾いており、光出射面より前方の基板上面と基準平面のなす角度が垂直方向の光放射分布の半値半角よりも大きいことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G02B 6/42
, H01L 33/00
H01S 3/18
, G02B 6/42
, H01L 33/00 A
