特許
J-GLOBAL ID：200903019121972474
半導体補助記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-003399
公開番号（公開出願番号）：特開平7-210468
出願日： 1994年01月18日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 どのような書き込みが行われても特定の記憶セルのみに書き込みが集中することがないようにして、書き込み回数に制限のある半導体記憶装置を半導体補助記憶装置に用いることができるようにすること。【構成】 装置内の記憶部101で、記憶セルの環を論理的に構成し、データの書き込みに対しては環上の記憶セルを順番に使用していく。装置内にブロック番号と環上の記憶セルの位置を対応付ける表を保持するアドレス変換部103を設け、後の読み出しにおいてブロック番号から環状の記憶セルの位置を得て正しいデータの読み出しを行えるようにする。
請求項（抜粋）：
一定量の連続するデータブロックにブロック番号を付して格納場所を指定する半導体記憶装置を記憶媒体とする半導体補助記憶装置において、記憶媒体である半導体記憶装置を一連のデータブロックの環と論理的に捉え、新しいデータブロックの書き込みに対して環上のデータブロックを順次割り当てることによって行い、指定された番号と環上のデータブロック番号を対応付ける表に記録することによって、後の指定されたデータの読み出しを可能にすることを特徴とする半導体補助記憶装置。
IPC (3件)：
G06F 12/16 310
, G06F 3/08
, G11C 16/06
