半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083776
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277463
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】半導体チップ周囲に溝を設けて樹脂で埋設することにより、小型化した装置あるいはチップサイズパッケージであってもその耐湿性を向上する。【解決手段】ベース領域13やエミッタ領域14を形成して半導体素子を形成する。素子としての活性部分を取り囲むようにして環状の溝20を形成する。溝20の内部を樹脂21埋設するようにして半導体チップ10を封止する。水分の進入パスが長くなるので、装置の耐湿性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体チップの表面に少なくとも1つのPN接合を形成する拡散領域を形成し、前記半導体チップの周辺部に沿って前記拡散領域の周囲を取り囲む溝を形成し、該溝内部を埋設するように前記半導体チップを樹脂封止したことを特徴とする半導体装置。

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