特許
J-GLOBAL ID:200903019126772228
放射線検出素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-003929
公開番号(公開出願番号):特開平5-188148
出願日: 1992年01月13日
公開日(公表日): 1993年07月30日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 放射線検出素子を改良する。【構成】 複数の凹部が表面側に形成された基板と、この基板の裏面に半導体薄膜31を堆積して形成され、複数の光電変換部を有する受光素子アレイと、複数の凹部に埋め込まれたシンチレータ43とを備える。シンチレータ43が埋め込まれた基板の裏面に、半導体薄膜31の堆積による固体撮像素子アレイが設けられるので、貼り合わせによる位置ずれや、接着剤による光損失を本質的に克服できる。そして、反射膜44を設けることにより、シンチレーション光を効率よく光電変換部に入射でき、凹部の側壁を表面側で薄くすることにより、放射線の入射効率を高め得る。
請求項(抜粋):
複数の凹部が表面側に形成された基板と、この基板の裏面に半導体薄膜を堆積して形成され、複数の光電変換部を有する受光素子アレイと、前記複数の凹部に埋め込まれたシンチレータとを備えることを特徴とする放射線検出素子。
IPC (3件):
G01T 1/20
, H01L 27/14
, H01L 31/09
FI (2件):
H01L 27/14 K
, H01L 31/00 A
引用特許:
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