特許
J-GLOBAL ID：200903019127395282
フラッシュEEPROMへのデータ書き込み回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-055363
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260084
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 フラッシュEEPROMへのデータ書き込み時間を短縮する。【解決手段】 フラッシュEEPROM1へのデータ書き込み中の電流値を電流検知回路8で常に監視し検出する。一方、コントロール部7で書き込み判定値が設定部10へ設定される。パルス停止判断回路9は前に検出された電流値と判定値を比較し、判定値より電流値が少なくなったときに書き込みを停止させることにより、書き込み時間の短縮を図る。
請求項（抜粋）：
フラッシュEEPROMへのデータ書き込み中の電流値を検知する手段と、書き込み判定値の設定手段と、実際のメモリセルの電流値より前記書き込み判定値の設定手段で設定した判定値と前記電流値検知手段で検出した電流値を比較し判定値より電流値が少なくなったときに書き込みを停止させる手段とを有することを特徴とするフラッシュEEPROMへのデータ書き込み回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 634 F
, G11C 17/00 611 E
