特許

J-GLOBAL ID：200903019128025608

半導体記憶装置、及びデータ処理装置

発明者： 大森 秀雄 ,  大石 貫時
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-141173
公開番号（公開出願番号）：特開平8-315569
出願日： 1995年05月16日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、セルフリフレッシュ機能を搭載する半導体記憶装置の歩留りの向上を図ることにある。【構成】 タイマ周期情報の外部設定を可能とするレジスタをSDRAM32に設け、SDRAM32がデータ処理装置に搭載された状態で、リフレッシュタイマ221の周期設定を可能とする。それにより、SDRAM32のプローブ検査工程において、ヒューズ熔断によるリフレッシュタイマ周期調整が不要とされて、SDRAM32の歩留りの向上が達成される。

請求項（抜粋）：

マトリクス配置されたダイナミック型メモリセルと、設定されたタイマ周期情報に基づいて上記ダイナミック型メモリセルのリフレッシュ周期を制御するリフレッシュタイマとを含む半導体記憶装置において、上記タイマ周期情報の外部設定を可能とするレジスタを含むことを特徴とする半導体記憶装置。