半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067473
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040809
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】従来の量産工程に容易に取り込める半導体微結晶の製造方法、及びこれを利用した半導体装置を提供する。【解決手段】基板(10、11)上に、非晶質および多結晶のいずれかよりなるIV族原子の層(12)を、500°C以下の低温で厚さ0.3nm以上5nm以下に形成した後に、600°C以上850°C以下の高温加熱により前記IV族原子の層を塊状化せしめて、IV族原子からなり、二次元状に分布しかつ互いに独立した直径50nm以下の半球状微細結晶(13)を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に形成され、第1の半導体微結晶の上に第2の絶縁層を介して第2の半導体微結晶が積み上げられた少なくとも1つの二重半導体微結晶と、前記少なくとも1つの二重半導体微結晶を覆うように、前記第1の絶縁層の上に選択的に形成された第3の絶縁層と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 27/10 451 , H01L 29/06 , H01L 29/66

FI (4件)：

H01L 29/78 301 J , H01L 27/10 451 , H01L 29/06 , H01L 29/66

前のページに戻る