特許

J-GLOBAL ID：200903019131606867

薄膜デバイス、薄膜磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果素子

発明者： 井上 亨 ,  照沼 幸一
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284341
公開番号（公開出願番号）：特開2000-113426
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 第1のシールドギャップ膜12および第2のシールドギャップ膜14の熱伝導率を高くすると共に硬度も高くする。または、熱伝導率を高くすると共に応力を低くする。【解決手段】 第1のシールドギャップ膜12および第2のシールドギャップ膜14を、Al,B,SiおよびCのうちの少なくとも1種の窒化物を主成分として含有すると共に、少量のArと、酸素とを含有する絶縁膜により構成する。Al,B,SiおよびCのうちの少なくとも1種の窒化物を含有することにより高い熱伝導率が得られ、MR素子13において発生した熱を効率的に放散できる。Arを含有することにより硬度が高くなり、エアベアリング面を形成する際に過剰に研磨されることが防止される。酸素を含有することにより応力が低減され、剥離が防止される。

請求項（抜粋）：

アルミニウム,ホウ素,ケイ素および炭素のうちの少なくとも1種の窒化物とアルゴンとを含有する絶縁膜を備えたことを特徴とする薄膜デバイス。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  H01L 21/318 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 43/08 H

Fターム (13件)：

5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034BB08 ,  5D034BB12 ,  5D034CA02 ,  5F058BA10 ,  5F058BB05 ,  5F058BB10 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ10