特許

J-GLOBAL ID：200903019134264118

導電性薄膜の気相成長方法

発明者： 大塚 信幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-057172
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246211
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 導電性薄膜の気相成長方法に関し、装置を大型化或いは特殊化することなく、安全性の高い方法によって基板前処理をする。【解決手段】 基板1上に設けた導電性領域3に導電性薄膜6を気相成長させる前に、ハロゲンを含む有機金属ガス4を供給して導電性領域3表面を処理する。

請求項（抜粋）：

基板上に設けた導電性領域に導電性薄膜を気相成長させる前に、ハロゲンを含む有機金属ガスを供給して前記導電性領域表面を処理することを特徴とする導電性薄膜の気相成長方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

H01L 21/285 301 L ,  H01L 21/285 C ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/302 P