特許

J-GLOBAL ID：200903019139854371

窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法

発明者： 菅原 聰 ,  近藤 雅文 ,  山田 英司 ,  高平 宜幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-225975
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102633
出願日： 2000年07月26日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 InGaN量子井戸活性層上にAlGaN保護層を設けた窒化物系化合物半導体発光素子において、発光強度を増加し、面内均一性を向上する。【解決手段】 活性層4を成長する工程110の後、成長中断工程111を設けてその期間中に基板温度を昇温する。その後、成長中断を一定期間継続する工程112の後、その昇温した温度でAlGaN保護層を成長する工程113を行う。AlGaN保護層の結晶性および平坦性が改善され、キャリアー濃度等の均一性も向上する。

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体層からなる活性層上に、Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0≦y≦1)、Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N<SB>j</SB>As<SB>1-j</SB>(0≦y≦1、0<j<1)またはAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N<SB>k</SB>P<SB>1-k</SB>(0≦y≦1、0<k<1)からなる保護層を有する窒化物系化合物半導体発光素子を製造する方法であって、該活性層の成長後に成長中断期間を設けてその成長中断期間中に基板温度を昇温し、その後、昇温させた温度で該保護層を成長する窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 33/00 ,  C01B 21/06 ,  C01G 15/00 ,  C01G 28/00 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323

FI (8件)：

H01L 33/00 C ,  C01B 21/06 M ,  C01G 15/00 D ,  C01G 28/00 Z ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323