特許
J-GLOBAL ID：200903019144608222
半導体ウェハのストライプエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-336898
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201804
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 再現性良くストライプの深さを制御することができ、かつ、生産性および歩留まりが良い半導体ウェハのストライプエッチングを行う。【構成】 エッチングモニタ用のストライプの幅(W)を、エッチングを終了する目的の深さ(d)に基づいて求め、フォトリソグラフィ工程では、レーザストライプパターンと共に、求められたストライプ幅(W)にしたがってエッチングモニタ用ストライプパターン26をウェハ17に形成し、エッチング工程では、各ストライプパターン25、26の形成されたウェハ17をエッチングしてウェハにレーザストライプ27を形成すると共に、前記エッチングモニタ用ストライプパターン26で半導体ウェハ17に形成されるモニタ用ストライプ28からの回折光量の変化を検出し、検出された回折光量変化に基づきエッチングを終了する。
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィ工程によりパターニングされた半導体ウェハをエッチング工程でエッチングして半導体ウェハにストライプを形成するストライプエッチング方法において、エッチングモニタ用のストライプの幅を、エッチングを終了する目的の深さに基づいて求め、フォトリソグラフィ工程では、ストライプパターンと共に、求められたストライプ幅にしたがってエッチングモニタ用ストライプパターンをウェハに形成し、エッチング工程では、各ストライプパターンの形成されたウェハをエッチングしてウェハにストライプを形成すると共に、前記エッチングモニタ用ストライプパターンでウェハに形成されるモニタ用ストライプからの回折光量の変化を検出し、検出された回折光量変化に基づきエッチングを終了することを特徴とする半導体ウェハのストライプエッチング方法。
IPC (2件)：
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