エッチング方法および結晶性評価方法並びに半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264485
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188285
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】簡単かつ安全にエッチピットを出すことができるエッチング方法およびそれを用いた結晶評価方法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板の上にIII族ナイトライド化合物半導体よりなる半導体層が形成された試料10を反応管21の内部に配設された載置台22の上に載置する。ガス供給管25を介して塩化水素と窒素とを含むエッチングガスを反応管21の内部に供給する。ランプアロイ炉23により反応管21の内部温度を500°C以上900°C以下の範囲内まで加熱し、20分程度保持する。これにより、試料10の半導体層はエッチングされ、その表面にエッチピットが出る。そののち、試料10を反応管21から取り出し、半導体層のエッチピット密度をSEMにより観察する。これにより、半導体層の結晶性を評価することができる。

請求項（抜粋）：

ハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスを含むエッチングガスを用いて半導体よりなるエッチング対象体をエッチングし、表面にエッチピットを出す工程を含むことを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/66 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/66 N , H01L 33/00 C

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