特許

J-GLOBAL ID：200903019148880288

ダイヤモンド状炭素膜の形成方法及び表面処理方法

発明者： 那須 昌吾 ,  吉次 慶記 ,  末永 辰敏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203926
公開番号（公開出願番号）：特開2002-020869
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】 薄膜磁気ヘッドスライダーの摺動面保護膜として信頼性の高い、超薄膜化と高耐摩耗性とを両立させたダイヤモンド状炭素膜の形成方法を提供する。【解決手段】 成膜原料ガスであるメタン、またはエチレン中に、フッ素炭素化合物CF4、CHF3、C2F6、C3F8、及びC4F8のガスから選ばれた少なくとも一種のガスを混合して用いるとともに、基板面に遠赤外線から紫外線域までのいずれかの波長の光を照射しながら、プラズマCVDにより成膜する。また、上記のフッ素炭素化合物ガスから選ばれた少なくとも一種のガスを含むプラズマにより、基板面に遠赤外線から紫外線域までのいずれかの波長の光を照射しながら、ダイヤモンド状炭素膜の表面を処理する。あるいは同様のガスとアルゴンガスとを含むイオンビームにより、ダイヤモンド状炭素膜の表面を処理する。

請求項（抜粋）：

プラズマCVDによりダイヤモンド状炭素膜を成膜する方法において、成膜原料ガス中に、フッ素炭素化合物CF4、CHF3、C2F6、C3F8、及びC4F8のガスから選ばれた少なくとも一種のガスを混合するとともに、基板面に遠赤外線から紫外線域までのいずれかの波長の光を照射しながら成膜することを特徴とするダイヤモンド状炭素膜の形成方法。

IPC (5件)：

C23C 16/27 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/511 ,  G11B 5/60 ,  G11B 21/21 101

FI (5件)：

C23C 16/27 ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 16/511 ,  G11B 5/60 C ,  G11B 21/21 101 L

Fターム (21件)：

4G046CA01 ,  4G046CB01 ,  4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4G046CC06 ,  4K030AA04 ,  4K030AA10 ,  4K030BA28 ,  4K030BB12 ,  4K030CA03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA02 ,  4K030FA12 ,  4K030LA19 ,  5D042NA02 ,  5D042PA08 ,  5D042RA02 ,  5D042SA03