特許
J-GLOBAL ID：200903019151660191
炭化ケイ素単結晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小橋 信淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-354681
公開番号（公開出願番号）：特開平6-183897
出願日： 1992年12月16日
公開日（公表日）： 1994年07月05日
要約：
【要約】【目的】 不純物混入,結晶欠陥等がなく、種結晶の多形性を継承した高品質の炭化ケイ素単結晶を昇華法で成長させる。【構成】 ヒータ5によって、所定の温度勾配をつけてルツボ1を加熱する。原料粉末2を配置した部分が昇華可能温度域に、種結晶4を配置した部分が成長可能温度域に達したとき、操作軸9でルツボ1を移動させ、種結晶4を昇華可能温度雰囲気にさらす。この状態を所定時間維持し、種結晶4の表面層を昇華除去する。次いで、種結晶4を成長可能温度域に移動させ、結晶成長を開始する。【効果】 清浄化された種結晶4の表面上に単結晶が成長するため、種結晶4の多形性がそのまま引き継がれ、不純物混入,結晶欠陥等がなく化学量論的にも一定した高品質の炭化ケイ素単結晶が得られる。
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素原料粉末を昇華させ種結晶の上に単結晶として成長させる際、種結晶配置部を昇華温度域にさらし、前記種結晶の表面層を昇華除去し、次いで前記種結晶配置部を成長温度域に保持し、前記炭化ケイ素原料粉末から発生した昇華ガスを前記種結晶に降り注ぐことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の成長方法。
IPC (2件)：
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