特許
J-GLOBAL ID:200903019152367862

ビルドアップ多層配線板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 若林 邦彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-202443
公開番号(公開出願番号):特開2000-036659
出願日: 1998年07月17日
公開日(公表日): 2000年02月02日
要約:
【要約】【課題】微細な回路導体の形成が可能であり、かつ絶縁性と接続信頼性に優れたビルドアップ多層配線板の製造方法を提供する。【解決手段】回路基板上に、硬化した絶縁層と粗化面を有する金属層とを積層成形し、その金属層の厚さを薄くし、その金属層の、バイアホールとなる部分のみをエッチング除去して開口部を形成し、その開口部に露出した硬化した絶縁層を、回路基板の接続させる回路導体が露出するまでレーザー光の照射によって除去し、バイアホールとなる穴を形成し、金属層を除去し、バイアホールとなる穴の内部と絶縁層の表面に、無電解めっきを行い、バイアホールとなる穴の箇所及び導体回路となる箇所以外の箇所にめっきレジストを形成し、電気めっきを行い、めっきレジストを除去し、めっきレジストを除去した箇所の無電解めっきを、エッチング除去する工程を有するビルドアップ多層配線板の製造方法。
請求項(抜粋):
以下の工程を有することを特徴とするビルドアップ多層配線板の製造方法。a.回路基板上に、半硬化状の絶縁層と粗化面を有する金属層とをこの順にかつその金属層の粗化面が半硬化状の絶縁層に接するように重ね、または、金属層の粗化面に半硬化状の絶縁層を形成したものを回路基板に半硬化状の絶縁層が接するように重ね、加熱・加圧して積層一体化するとともに半硬化状の絶縁層を硬化する工程。b.粗化面を有する金属層を厚さを薄くするようにエッチング除去する工程。c.薄くした粗化面を有する金属層の、バイアホールとなる部分のみをエッチング除去して開口部を形成する工程。d.粗化面を有する金属層に形成した開口部に露出した硬化した絶縁層を、回路基板の接続させる回路導体が露出するまでレーザー光の照射によって除去し、バイアホールとなる穴を形成する工程。e.粗化面を有する金属層を除去する工程。f.バイアホールとなる穴の内部と絶縁層の表面に無電解めっきを行う工程。g.無電解めっきを行った表面の、バイアホールとなる穴の箇所及び導体回路となる箇所以外の箇所にめっきレジストを形成する工程。h.めっきレジストが形成されていない箇所に、電気めっきを行う工程。i.めっきレジストを除去する工程。j.めっきレジストを除去した箇所の無電解めっきを、エッチング除去する工程。
FI (2件):
H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 B
Fターム (25件):
5E346AA02 ,  5E346AA06 ,  5E346AA12 ,  5E346AA43 ,  5E346CC04 ,  5E346CC09 ,  5E346CC10 ,  5E346CC12 ,  5E346CC13 ,  5E346CC32 ,  5E346CC58 ,  5E346DD23 ,  5E346DD32 ,  5E346DD47 ,  5E346DD50 ,  5E346EE33 ,  5E346FF04 ,  5E346FF07 ,  5E346FF13 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG18 ,  5E346GG22 ,  5E346GG23 ,  5E346HH08

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