特許
J-GLOBAL ID：200903019160993390
記憶要素間のカップリングを補償する否定積メモリの読み出し方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-551163
公開番号（公開出願番号）：特表2007-519162
出願日： 2005年01月13日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
ユピン効果と称する隣接するセルのカップリングの影響を低減するための、行と列に配列された不揮発性メモリの読み出し方法を提供する。本方法は、次のステップを含む。ワード線WLn内の読み出すべきビットを選択するステップ;ワード線WLnの後に書き込まれる隣接ワード線WLn+1を読み出すステップ;及び、少なくともひとつの読み出しパラメータを選択的に調整することによってワード線WLn内の選択ビットを読み出すステップ。ひとつの実施形態では、読み出しパラメータは検出電圧である。他の実施形態では、読み出しパラメータはプリチャージ電圧である。さらに他の実施形態では、検出電圧とプリチャージ電圧の双方が調整される。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
行と列に配列された不揮発性メモリの読み出し方法であり、
読み出すべきワード線WLnを選択するステップ;
ワード線WLnの後に書き込まれる隣接ワード線(WLn+1)を読み出すステップ;
少なくとも一つの読み出しパラメータを選択的に調整してワード線WLn内の選択されたビットを読み出すステップ;
を含む不揮発性メモリの読み出し方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C17/00 613
, G11C17/00 622E
, G11C17/00 641
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA15
, 5B125DA04
, 5B125DA09
, 5B125EA05
, 5B125EC06
, 5B125ED09
, 5B125EE00
, 5B125FA01
, 5B125FA04
