特許

J-GLOBAL ID：200903019164316864

マイクロ波導入装置及び表面処理方法

発明者： 鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077349
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233295
出願日： 1993年09月13日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】 基体の被処理面への均一なプラズマ処理を行う。【解決手段】 無終端の環状導波管の基体の被処理面に対向する同一平面に設けた多数のスリットよりマイクロ波を導入する。

請求項（抜粋）：

排気手段によりプラズマ発生室を減圧し、マイクロ波導波管を介して前記プラズマ発生室内にマイクロ波エネルギーを供給し、前記プラズマ発生室内にプラズマを発生させる装置に用いられるマイクロ波導入装置おいて、前記マイクロ波導波管には複数のスロットが前記プラズマ発生室側の基体の被処理面に対向した同一平面に形成されており、前記マイクロ波導波管が環状導波管であることを特徴とするマイクロ波導入装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205