COセンサ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀧野秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-242746
公開番号（公開出願番号）：特開平8-105854
出願日： 1994年10月06日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】検出速度が速く、検出精度が高く、消費電力が小さく、量産化が容易で低コストで製造できる接触燃焼式COセンサを提供する。【構成】N型シリコン基板1の上面にSiO2 膜4a、Si3 N4 膜5aからなる熱絶縁膜を設ける。薄膜抵抗膜で中央の加熱部と加熱部の両側から引出される電極引出し部とを有する二つのヒータ6,7を絶縁膜上に設ける。その表面を絶縁体の保護膜8で被覆する。ヒータ6の上にRh粉末5%とアルミナ粉末95%との混合物で感応部10を、ヒータ7の上にアルミナで温度補償部11を形成する。シリコン基板1を裏面からエッチして感応部10と温度補償部11の下に凹部12を形成してSiO2 膜4aを露出させると同時に感応部10と温度補償部11との間にシリコン基板1を貫通する矩形の切欠部9を形成する。凹部12のヒータ6,7の加熱部の下にそれぞれ均熱板3a,3bを形成する。

請求項（抜粋）：

一導電型シリコン基板と、このシリコン基板の上面に設けられた絶縁膜と、薄膜抵抗膜で作られ中央部に設けられた加熱部とこの加熱部の両側から引き出される電極引出し部とから構成され前記絶縁膜上に間隔をおいて平行に設けられた二つのヒータと、このヒータを含む表面を覆う保護膜と、前記ヒータの加熱部の上方に形成された感応部と温度補償部と、前記シリコン基板を裏面から選択除去して前記ヒータの加熱部の下の前記絶縁膜を露出させる凹部とを備えたセンサ素子を有することを特徴とするCOセンサ。

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平2-196950
特開平2-196950
特開平2-138858

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