特許
J-GLOBAL ID:200903019168013939

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-284582
公開番号(公開出願番号):特開平6-140914
出願日: 1992年10月22日
公開日(公表日): 1994年05月20日
要約:
【要約】【目的】 回路が形成されたチップ自体でしきい値の設定方式が異なる回路を選択的に形成することを可能とする。【構成】 電位判別手段9は、第1電源ノード8が受ける電源電位が所定レベル以上であるか否かを判別し、スイッチング回路5は、電源電位が所定レベル以上であると判別された場合にトランジスタ6を出力ノード4と第2電源ノード7との間に接続する。
請求項(抜粋):
1チップ上に形成され、入力信号のレベルに応じた信号を出力する半導体集積回路であって、第1の電源電位を受ける第1の電源ノードと、第2の電源電位を受ける第2の電源ノードと、前記入力信号を受ける入力ノードと、出力ノードと、前記入力ノードと前記出力ノードとの間に接続されたインバータと、前記入力信号に応答して制御されるトランジスタと、前記第1の電源ノードが受ける第1の電源電位が所定レベル以上であるか否かを判別する電位判別手段と、前記電位判別手段にて前記第1の電源電位が所定レベル以上であると判別された場合に前記トランジスタを前記出力ノードと前記第2の電源ノードとの間に接続する接続手段とを備えた、半導体集積回路。

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