特許

J-GLOBAL ID：200903019169559463

オフセット捩れビット線を有する半導体装置

発明者： デビッド ビー.スコット
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274042
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114389
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 より稠密なデータ線配列構造。【解決手段】 データ線配列(600)が第1の方向に配置された「捩れ」データ線対(604a-604c)を含む。各々の捩れデータ線対は上側セグメント対(608a-608f)が捩れ構造(612a-612c)によって下側セグメント対(610a-610f)に接続される。上側及び下側セグメント対は位相シフト・リソグラフィを用いて第1のピッチで形成することが出来る。捩れ構造は第2の導電層から形成され、第1のピッチより大きなピッチを持つ。捩れ構造は第1の方向に対して垂直な第2の方向に全体的に配置されている。ずれた捩れ構造により、隣り合ったずれた捩れ構造(612a及び612b)の間で、第1の導電層よりも余裕をもって補助の導電線(618)を形成することが出来る。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスにおいて、データ線配列が、第1の方向に伸びる複数個の第1のデータ線対と、夫々、2つの第1のデータ線対の間にあって、前記第1の方向に伸びる複数個の第2のデータ線対と、各々の第2のデータ線対に関連するクロスオーバ構造とを有し、各々の第2のデータ線対は、第1のデータ線セグメント及び第2のデータ線セグメントを含む第1のセグメント対、及び第1のデータ線セグメント及び第2のデータ線を含む第2のセグメント対を含み、各々のクロスオーバ構造は、関連する第1のセグメント対の第1のデータ線セグメントを関連する第2のセグメント対の第2のデータ線セグメントに結合する第1のクロスオーバ素子、及び関連する第1のセグメント対の第2のデータ線セグメントを関連する第2のセグメント対の第1のデータ線セグメントに結合する第2のクロスオーバ素子を含み、前記クロスオーバ構造は前記第1の方向に関し、互いにずれているデータ線配列を含む半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 21/82 ,  G11C 11/401 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/82 W ,  G11C 11/34 362 B ,  H01L 27/04 D