特許
J-GLOBAL ID:200903019169736799

反強誘電性液晶素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-231142
公開番号(公開出願番号):特開平8-095088
出願日: 1994年09月27日
公開日(公表日): 1996年04月12日
要約:
【要約】【目的】 光シャッタや表示装置等に用いられる反強誘電性液晶素子において、画素部とスペース部ともに暗状態での黒輝度が低く、高いコントラスト表示を実現する。【構成】 透明電極12a及び12bが形成された一対の基板11a及び11b上の少なくともいずれか一方に配向処理を施し、各基板11a及び11b間に挟持された反強誘電性液晶層15の厚みWを1μm以上3μm以下、特に1μm以上2μm以下とする。また、スペース部に絶縁性薄膜13を形成し、液晶素子全面にわたって液晶層の厚みWを均一にする。更に、反強誘電性液晶層15に用いる液晶の螺旋ピッチを、液晶層の厚みW以上、望ましくは液晶層の厚みWの3倍以上とする。
請求項(抜粋):
マトリクス状の透明電極を有する一対の基板の対向面上の少なくとも一方に配向処理を施し、前記基板間に反強誘電性液晶を挟持し、前記基板間の反強誘電性液晶層の厚みが1μm以上3μm以下である反強誘電性液晶素子。

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