特許
J-GLOBAL ID：200903019177027047
半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-235463
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066426
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 耐熱性の劣る基板上に良好な特性を示す絶縁ゲイト型(MIS型)シリコン半導体装置を作製する方法に関して、特にゲイト絶縁膜およびその作製方法を提供する。【構成】 酸素等の酸化雰囲気中にシリコン半導体表面をさらし、これを400〜700°C、好ましくは500〜600°Cに加熱するか、もしくは数10秒〜数分間、可視もしくは近赤外光の強光を照射することによって、表面にごく薄い酸化膜を形成し、しかる後にTEOS等の有機シランと酸素を原料とするプラズマCVD法によって酸化珪素膜を成膜し、所望の厚さのゲイト絶縁膜とする。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に島状の結晶性珪素膜を形成する第1の工程と、前記島状珪素膜に、酸化雰囲気中で近赤外から可視光、好ましくは波長4μm〜0.5μmの強光を照射することによって、該珪素膜表面に薄い酸化膜を形成する第2の工程と、前記島状珪素膜を覆って、有機シランと酸素、オゾン、酸化窒素を原料とする化学的気相成長法によって酸化珪素膜を形成する第3の工程と、前記酸化珪素膜上にゲイト電極を形成する第4の工程とを有する半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/316
, H01L 21/318
