特許
J-GLOBAL ID:200903019178485260
高圧処理方法及び装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
安田 敏雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-128275
公開番号(公開出願番号):特開2002-324774
出願日: 2001年04月25日
公開日(公表日): 2002年11月08日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体基板等の被処理体を圧力容器の被処理室内で高圧流体を用いて処理する場合、粉塵等の発生源となるシール部材を不要にするとともに、被処理体を回転させるためのモータ等の回転駆動源を被処理室内に設置する必要がない処理方法及び処理装置を提供すること。【解決手段】 処理容器1の処理室2において、被処理体5を支持している支持体4を流体によって浮上させるとともに、流体によって支持体4を容器軸心廻りに回転するようにしている。
請求項(抜粋):
処理容器(1)の内部に画成した処理室(2)内に、被処理体(5)を支持している支持体(4)を収容して前記被処理体(5)を処理する方法において、前記支持体(4)を処理室(2)内で流体によって浮上した状態で処理することを特徴とする高圧処理方法。
IPC (4件):
H01L 21/304 641
, H01L 21/304 651
, B08B 5/02
, F26B 21/14
FI (4件):
H01L 21/304 641
, H01L 21/304 651 Z
, B08B 5/02 Z
, F26B 21/14
Fターム (22件):
3B116AA03
, 3B116AA47
, 3B116AB33
, 3B116AB47
, 3B116BB21
, 3B116BB87
, 3B116BB90
, 3B116CC01
, 3B116CC03
, 3L113AA03
, 3L113AB02
, 3L113AB08
, 3L113AC28
, 3L113AC45
, 3L113AC46
, 3L113AC54
, 3L113AC55
, 3L113AC67
, 3L113AC68
, 3L113BA34
, 3L113DA01
, 3L113DA24
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