特許

J-GLOBAL ID：200903019179464924

固体撮像素子及びその製造方法

発明者： 和田 和司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-345252
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179473
出願日： 2002年11月28日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】受光領域のオフセット領域を有する正孔蓄積領域を適正な形状に形成し、暗電流の抑制と読み出し電圧の低電圧化の両立を実現する。【解決手段】第1のイオン注入工程によって読み出し部側から画素側に斜めのイオン注入を行い、オフセット領域114を有する第1のイオン注入領域170を形成する。ここで、転送電極160A、160Bが重なった部分では、オフセット領域114の幅が大きくなって暗電流を増大させる原因となる。そこで、第2のイオン注入工程によってマスク180を用いたイオン注入を行うことにより、オフセット領域114の幅が大きくなった欠損部分を含む領域に不純物イオンを注入し、転送電極160A、160B側へのはみ出し領域113Aを有する正孔蓄積領域113を形成する。はみ出し領域113Aは信号電子の読み出し経路を除く領域に配置され、読み出し動作に影響を与えず、暗電流を防止する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の上層に、入射光量に応じた信号電荷を生成する光電変換領域を含む複数の画素と、前記複数の画素より構成される画素列に沿って配置され、各画素によって生成された信号電荷を読み出して画素列方向に順次転送する転送部とを設けるとともに、前記半導体基板の転送部上に前記転送部内に読み出された信号電荷の転送を制御する複数層の転送電極を設けた固体撮像素子の製造方法であって、 前記複数の画素の光電変換領域に信号電子蓄積領域を形成する工程と、前記信号電子蓄積領域の上層に正孔蓄積領域を形成する工程とを有し、 前記正孔蓄積領域を形成する工程は、 前記複数層の転送電極を用いたセルフアラインによって前記転送部側から光電変換領域側に傾斜したイオン注入を行い、光電変換領域と転送部との間の電荷読み出し領域にイオンが注入されないオフセット領域を残した状態で不純物イオンを添加する第1のイオン注入工程と、 前記複数層の転送電極を用いたセルフアラインによって第1のイオン注入工程を施した際に、複数層の転送電極が互いに重なり合った隆起部分にイオンが遮られることによって生じた不純物イオンの欠損領域に、前記第1のイオン注入工程とは注入方法を変えたイオン注入を行うことにより、前記欠損領域の少なくとも一部を縮減する第2のイオン注入工程と、 を有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L27/148 ,  H01L21/265 ,  H01L31/10

FI (3件)：

H01L27/14 B ,  H01L31/10 A ,  H01L21/265 V

Fターム (25件)：

4M118AA04 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA20 ,  4M118EA03 ,  4M118EA07 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  5F049MA01 ,  5F049MA20 ,  5F049MB03 ,  5F049MB12 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NA14 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049RA02 ,  5F049RA10 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ20