面発光半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294814
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110198
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】偏波方向が制御されたレーザ光を出射する面発光半導体レーザを提供する。【構成】活性層14を、膜厚5nmのAl組成35%のAlGaAs層と、膜厚5nmのGaAs層とからなる(110)方向の多重量子井戸とする。または、半導体多層膜反射鏡12の少なくとも一層を(110)方向のAl0.1Ga0.9 As/Al0.35Ga0.65As量子井戸とする。

請求項（抜粋）：

活性層中に閃亜鉛鉱型結晶構造の半導体による(001)方向及び(111)方向を除く所定方向の量子井戸を形成したことを特徴とする面発光半導体レーザ。

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