特許

J-GLOBAL ID：200903019185931984

メタルプラグの形成方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335477
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152250
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】選択タングステンCVD法によって開口部内にタングステンから成るメタルプラグを形成したとき、メタルプラグにボイドが発生しない新規のメタルプラグ形成方法を提供する。【構成】本発明の方法は、(イ)層間絶縁層14に開口部を形成した後、導体材料から成る核成長促進層22を該開口部の底部16Aに形成する工程と、(ロ)絶縁材料から成り、開口部の側壁16Bにおけるメタルプラグ材料28の核成長を抑止するための核成長抑止層26を、開口部の側壁16Bに形成する工程と、(ハ)開口部をメタルプラグ材料28で選択的に埋め込む工程、から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)層間絶縁層に開口部を形成した後、導体材料から成る核成長促進層を該開口部の底部に形成する工程と、(ロ)絶縁材料から成り、開口部の側壁におけるメタルプラグ材料の核成長を抑止するための核成長抑止層を、開口部の側壁に形成する工程と、(ハ)開口部をメタルプラグ材料で選択的に埋め込む工程、から成ることを特徴とするメタルプラグの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283