特許

J-GLOBAL ID：200903019186719601

半導体装置の製造方法

発明者： 寺坂 国博 ,  角田 弘昭 ,  小林 英行
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-208119
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055504
出願日： 1995年08月15日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜中の可動イオンを低減し、半導体装置の動作の安定性を図る。【解決手段】半導体基板1上に形成された素子3を覆うように絶縁膜5を形成し、絶縁膜5上に導電膜6を形成し、半導体基板1と導電膜6間に電圧を印加し、導電膜6を除去し、さらに絶縁膜5中において可動イオン含有濃度が高くなった部分5aを除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された素子を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、前記半導体基板と前記導電膜間に電圧を印加する工程と、前記導電膜を除去する工程と、前記絶縁膜の一部または全部を除去する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 301 N ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 617 V

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体集積回路の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-312812   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 特開昭49-042283