特許
J-GLOBAL ID：200903019188962783
面発光型点光源発光ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-007858
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204228
出願日： 1995年01月23日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 光取出部から取り出される光の強度分布が略均一な面発光型点光源LEDを提供する。【構成】 LED10は、不純物(Zn)のドーピング深さが光取出部40の中央部(すなわち、第2凹部44の直下)において周縁部よりも深くされることにより、その光取出部40の外周縁よりも内側位置に電流集中部49が位置させられる。活性層18は、電流狭窄部48内すなわち第1凹部42(光取出部40)の直下のみに通電されて発光させられるが、光取出部40の内側位置に電流集中部49が形成されていることから、従来のLED66と同様な大きさの光取出部40とした場合には、電流集中部49が光取出部40の中央に近づくこととなり、その中央部における光強度が高くされる。したがって、光取出部40における光強度が略均一となる。
請求項（抜粋）：
基板上に発光層を含む半導体層が積層され、且つ、光取出面である該半導体層の上面側から該半導体層の極性および電気抵抗値を制御する不純物がドーピングされると共に、該基板の裏面および該光取出面に下部電極および上部電極がそれぞれ備えられ、該下部電極および該上部電極間に通電することにより前記発光層で発生した光を、該光取出面の中央部に設けられた光取出部から取り出す形式の面発光型点光源発光ダイオードであって、前記不純物のドーピング深さが、前記光取出部の中央部において周縁部よりも深くされることにより、該光取出部の外周縁よりも内側位置に通電可能領域のうちで最も電流が集中させられる電流集中部が位置させられていることを特徴とする面発光型点光源発光ダイオード。
引用特許：
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