特許

J-GLOBAL ID：200903019189135031

半導体装置

発明者： 原 央
出願人/特許権者： 株式会社テクノネットワーク四国
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-335829
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147845
出願日： 2004年11月19日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】一定の製造条件の制限下、とくに微細化に関する製造条件の制限下では、CMOS回路の動作速度と消費電力はトレードオフの関係にある。両者のかね合いを決めるのが、MOSFETのゲートしきい値電圧である。ゲートしきい値電圧を低くすれば動作速度は速くなるが消費電力は増える。逆に、ゲートしきい値電圧を高くすれば消費電力は減少するが動作速度は遅くなる。一定の製造条件の制限のもとでは、動作速度と消費電力の両者を同時に改善するのは困難である。【解決手段】ゲートしきい値電圧を、回路の中の信号の変化に応じてほとんど瞬時的に変化させる方法、回路を提案し、CMOS回路の動作速度と消費電力の関係を改善する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

PチャネルMOSFETとNチャネルMOSFETを用いたCMOS回路において、当該回路中のある接点の電位が第1電位と第2電位からなる矩形波状に変化し、前記接点の電位が第1電位から第2電位に上昇もしくは第2電位から第1電位に降下するとき、その変化に応じてPチャンネルMOSFETおよび/またはNチャンネルMOSFETのゲートしきい値電圧がCMOS回路の動作を速める方向に変化し、変化後に前記接点の電位が第1電位または第2電位を保持するとき、変化したゲートしきい値電圧が変化する前の値の方に回復する手段を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H03K 19/094

FI (5件)：

H01L27/08 321L ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/04 F ,  H03K19/094 D

Fターム (28件)：

5F038AR01 ,  5F038BB05 ,  5F038BG09 ,  5F038DF01 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB14 ,  5F048BE02 ,  5F048BE09 ,  5F048BF17 ,  5J056AA00 ,  5J056BB02 ,  5J056BB17 ,  5J056DD29 ,  5J056DD51 ,  5J056EE11 ,  5J056FF06 ,  5J056GG09 ,  5J056KK01