モノヒドロキシアセトンの製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-136455
公開番号（公開出願番号）：特開2004-339118
出願日： 2003年05月14日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】1,2-プロパンジオールを触媒存在下気相脱水素してヒドロキシアセトンを製造する際に、少量の銅担持量の触媒でヒドロキシアセトンを効率的に製造すること。【解決方法】1,2-プロパンジオールを触媒の存在下で気相脱水素反応させてモノヒドロキシアセトンを製造するにあたり、触媒としてアンモニア昇温脱離法によるアンモニア脱離量が0.10モル・kg-1以下である酸化銅-シリカ触媒を使用することを特徴とするモノヒドロキシアセトンの製造方法。

請求項（抜粋）：

1,2-プロパンジオールを触媒の存在下で気相脱水素反応させてモノヒドロキシアセトンを製造するにあたり、触媒としてアンモニア昇温脱離法によるアンモニア脱離量が0.10モル・kg-1以下である酸化銅-シリカ触媒を使用することを特徴とするモノヒドロキシアセトンの製造方法。

IPC (3件)：

C07C45/29 , C07B61/00 , C07C49/17

FI (3件)：

C07C45/29 , C07B61/00 300 , C07C49/17 A

Fターム (8件)：

4H006AA02 , 4H006AC44 , 4H006BA05 , 4H006BA30 , 4H006BA55 , 4H006BA80 , 4H039CA62 , 4H039CC20

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭50-005311
特公昭43-003163
特公昭45-028761

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