半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-297971
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121828
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】発振しきい値が低くかつ非点隔差の小さい、基本横モードで発振するAlGaInP系可視光半導体レーザを提供する。【構成】活性層15をストライプ状メサ形状を有した光ガイド層16とAl0.5 In0.5 P光反射層14で挾む。光ガイド層16のメサ部の両側には、発振光を吸収しない電流阻止層19を設ける。【効果】活性層に平行方向の作り付けの実効屈折率差がメサ部とその両側での光ガイド層の厚さ変化により得られるため、低発振しきい値で低非点隔差を有した屈折率ガイド型レーザが実現できる。また、活性層に隣接した光反射層により発振光が光ガイド層側にしみ出すため、発光スポットが大きくなり高出力の光ビームの放出が可能となる。

請求項（抜粋）：

活性層と、前記活性層の第1の面に接している第1導電型の光反射層と、前記活性層の第2の面に接している第2導電型のメサストライプ形状の光ガイド層と、前記光ガイド層のメサ部の両側に形成された、活性層を構成する半導体材料のバンドギャップより広いバンドギャップの材料からなる、第1導電型の電流阻止層と、を具備する半導体レーザ。

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